关于6SE70整流回馈单元爆快熔和可控硅的问题

从12年以来至现在，板带厂卷取辅传动一段母线，一台整流回馈装置带6台逆变器（助卷辊以及辊道类）。先后三次出现过整流回馈单元爆快熔以及击穿可控硅故障。发生点为整流部分快熔可控硅以及回馈桥快熔可控硅以及回馈自耦变压器。大多数故障问题都是由逆变器下的辊道电机接地造成的，也就是直流侧接地。针对次问题做进一步讨论。分享以及和大家请教相关问题。针对此问题，我们已经将此段整流回馈单元回馈禁用，改成了能耗制动（制动单元），解除了自耦变压消耗的问题。在直流母线上增加了绝缘检测仪，报警效果不是很好。因为现场辊道电机环境相当复杂，接地的概率还是很大的，所以目前的系统还是有隐患的。

分析的主要依据是：

1.每次整流桥以及回馈桥均存在爆快熔的情况，但是回馈桥目前在禁止状态，正常回馈桥不可能有硅会触发。只能认为是误触发后导致的逆变颠覆。进线电压这块不考虑因为该段母线的整流变为双裂解变压器，星交两端共带有四段母线，其余母线没有这种情况，没有考虑进线电压问题。

2.至于为啥逆变器下电机接地会导致回馈桥误触发这个可能跟接地系统有关系，因为装置的第和现场的地没有区分，只能说有这个可能，至于回馈桥能开这个可能也是存在的。

3.目前正在研究如何将回馈桥彻底甩掉，研究怎么骗过装置回馈桥电压检测，准备将GK中电压检测的K封到整流侧，将G集悬空彻底不触发回馈桥。

4，升级改造目前比较困难，备件也比较困难（再坏就只能适用大装置替代了）。轧了十多年现场的设备也已经过了最佳状态，只能在自己这方面使劲研究降低故障风险了。 （ 针对双裂解变压器给几段母线供电相互影响的问题目前已经改善完成，此贴不讨论这个了）

查阅了很多精华帖以及咨询，都没有得到真正的解决，向大家寻求帮助，希望大家不吝赐教

1、进线变压器的中性点如果和地相连接，最好断开，不接地。

2、如果一次发生过一次快熔崩和可控硅损坏，建议更换掉整个装置内的可控硅和快熔。

逆变侧电机接地，应该不会导致整流侧快熔或者可控硅爆掉。毕竟IGBT的动作时间远快于快熔及可控硅坏掉的时间。

整流侧总出问题，不如直接换一个整流回馈单元了

目前进展是将回馈桥的脉冲线拔掉，不让回馈桥干扰触发。另外也正在改装板卡，在板卡上封线，回馈桥不接线，回馈电压检测封至整流侧，骗过回馈桥电压检测，将来回馈桥的可控硅做备件。

整流变，有没有中性点，只和变压器的二次绕组的接法有关系的。

更换快熔也是西门子的建议。

这个系列的产品已经有了新替代产品了，建议还是着手研究改造吧。

炸快熔理解，装置周边有什么事了。炸硅就不能理解了，快熔应该比硅动作快的，都被炸只能说明是大短路的恶性故障。或者是快熔选大了。

直流系统，如果炸快熔，一定要找周边的问题，比如环境，比如EMC，比如电机等等。不能看到炸快熔，接着继续，再炸再继续的那种。次数多了，就会扩大故障，出现更严重的炸。

直流炸就炸快熔和硅，交流炸一般都是炸电容器。滤波或者充电回路。